home
Rp 000,000.00
Penemuan baru IBM ini akan sangat membantu kehidupan. Pasalnya, produk baru ini menghasilkan kecepatan 100 kali lipat, dengan kebutuhan daya yang relative kecil. Flash memory yang selama ini digunakan sebagai alat penyimpan, mendapat saingan baru yaitu Phase Change Memory (PCM)
IBM baru baru ini mengumumkan telah membuat terobosan pada PCM sehingga kinerjanya 100 kali dari NAND Flash.
Kinerja yang tinggi dikarenakan pada PCM tidak lagi ada siklus hapus-tulis. Pada NAND flash siklus tersebut diperlukan yaitu data yang ada ditandai untuk penghapusan terlebih dahulu sebelum data baru dituliskan. Siklus hapus-tulis ini menurunkan kinerja NAND flash.
Keunggulan lain PCM adalah umur pemakaian yang lebih panjang daripada NAND flash. NAND flash hanya memiliki siklus penulisan dari 5.000 sampai 10.000 kali untuk produk-produk konsumer. Setelah siklus tersebut dicapai, NAND flash tidak dapat digunakan lagi.
Untuk produk kelas enterprise siklus penulisan NAND flash bisa sampai 100.000 kali. Menurut IBM, PCM dapat mencapai siklus penulisan 5 juta kali sehingga sangat cocok untuk aplikasi-aplikasi kelas enterprise.
Untuk produk-produk seperti ponsel dan MP3 player, umur memori 3.000 siklus penulisan sudah memadahi. Umur memori tersebut sudah melampaui umur peranti yang menggunakannya. Tetapi untuk aplikasi enterprise seperti pada layanan cloud computing, menurut IBM, satu jam saja sudah terjadi ribuan kali siklus penulisan.
Kapasitas yang lebih tinggi juga menjadi keunggulan lain PCM. Menurut IBM, mereka telah dapat memproduksi chip PCM yang setiap selnya dapat menyimpan dua atau bahkan tiga bit data. Ini disebut sebagai multi-level cell (MLC). Teknologi yang ada sekarang untuk PCM baru single-level cell (SLC) yang menyimpan satu bit data per cell.
Berbagai keunggulan PCM itu dikarenakan sifat-sifat yang dimiliki oleh material yang dipakai. Material untuk PCM sebenarnya sudah digunakan pada rewriteable optical disc seperti DVD. Materi ini akan mengalami perubahan resistansi elektrik bila berubah fase dari amorphous ke fase poly-crystalline.
Sifat-sifat material tersebut memungkinkan dibuat memori yang lebih baik dalam menyimpan data dengan ukuran yang bisa semakin diperkecil dan juga kebutuhan daya listrik yang lebih kecil.
IBM baru baru ini mengumumkan telah membuat terobosan pada PCM sehingga kinerjanya 100 kali dari NAND Flash.
Kinerja yang tinggi dikarenakan pada PCM tidak lagi ada siklus hapus-tulis. Pada NAND flash siklus tersebut diperlukan yaitu data yang ada ditandai untuk penghapusan terlebih dahulu sebelum data baru dituliskan. Siklus hapus-tulis ini menurunkan kinerja NAND flash.
Keunggulan lain PCM adalah umur pemakaian yang lebih panjang daripada NAND flash. NAND flash hanya memiliki siklus penulisan dari 5.000 sampai 10.000 kali untuk produk-produk konsumer. Setelah siklus tersebut dicapai, NAND flash tidak dapat digunakan lagi.
Untuk produk kelas enterprise siklus penulisan NAND flash bisa sampai 100.000 kali. Menurut IBM, PCM dapat mencapai siklus penulisan 5 juta kali sehingga sangat cocok untuk aplikasi-aplikasi kelas enterprise.
Untuk produk-produk seperti ponsel dan MP3 player, umur memori 3.000 siklus penulisan sudah memadahi. Umur memori tersebut sudah melampaui umur peranti yang menggunakannya. Tetapi untuk aplikasi enterprise seperti pada layanan cloud computing, menurut IBM, satu jam saja sudah terjadi ribuan kali siklus penulisan.
Kapasitas yang lebih tinggi juga menjadi keunggulan lain PCM. Menurut IBM, mereka telah dapat memproduksi chip PCM yang setiap selnya dapat menyimpan dua atau bahkan tiga bit data. Ini disebut sebagai multi-level cell (MLC). Teknologi yang ada sekarang untuk PCM baru single-level cell (SLC) yang menyimpan satu bit data per cell.
Berbagai keunggulan PCM itu dikarenakan sifat-sifat yang dimiliki oleh material yang dipakai. Material untuk PCM sebenarnya sudah digunakan pada rewriteable optical disc seperti DVD. Materi ini akan mengalami perubahan resistansi elektrik bila berubah fase dari amorphous ke fase poly-crystalline.
Sifat-sifat material tersebut memungkinkan dibuat memori yang lebih baik dalam menyimpan data dengan ukuran yang bisa semakin diperkecil dan juga kebutuhan daya listrik yang lebih kecil.
Home
